Struktura e brendshme e diodës së rikuperimit të shpejtë është e ndryshme nga dioda e zakonshme e lidhjes PN, e cila i përket diodës së kryqëzimit PIN, dmth, rajoni bazë I shtohet në mes të materialit të silikonit të tipit P dhe materialit të silikonit të tipit N për të formuar PIN-in. meshë silikoni. Për shkak se rajoni bazë është shumë i hollë, ngarkesa e rikuperimit të kundërt është shumë e vogël, kështu që koha e rikuperimit të kundërt të diodës së rikuperimit të shpejtë është më e shkurtër, rënia e tensionit përpara është më e ulët dhe voltazhi i kundërt i prishjes (përballojë vlerën e tensionit) është më i lartë.