Karbidi i silikonit SiC është një material gjysmëpërçues i përbërë nga silikoni Si dhe karboni C, zakonisht në llojin kristal 4H-SiC. Forca e fushës së tij të prishjes së izolimit është 10 herë ajo e Si, hendeku i energjisë është 3 herë më i madhi i Si, përçueshmëria termike është 3 herë ajo e Si dhe shpejtësia e zhvendosjes së ngopjes është 2 herë ajo e Si. Është një material pajisje elektronike me fuqi shumë më të lartë se Si.