Me strukturën e diodës penguese Schottky me frekuencë të lartë, SiC SBD arrin më shumë se 600 V tension të lartë, ndërsa tensioni maksimal i rezistencës së silikonit SBD është vetëm 200 V ose më shumë, dhe rënia e tensionit të tij në gjendje është shumë më e ulët se ajo e diodës së rikuperimit të shpejtë të silikonit. koha e rikuperimit të mbylljes së tij është më e vogël, prandaj humbja e fikjes është më e ulët, duke rezultuar në ndërhyrje më të ulëta elektromagnetike EMI. Përdorimi i SiC SBD për të zëvendësuar produktin e zakonshëm të diodës së rikuperimit të shpejtë të silikonit FRD, mund të zvogëlojë ndjeshëm humbjen totale, të përmirësojë efikasitetin e furnizimit me energji elektrike dhe përmes funksionimit me frekuencë të lartë të arrijë miniaturizimin e komponentëve pasivë si induktorët dhe kondensatorët. , dhe interferenca elektromagnetike EMI është më e ulët. Karbidi i silikonit SBD mund të përdoret gjerësisht në kondicionerët, furnizimet me energji elektrike, inverterët në sistemet e prodhimit të energjisë fotovoltaike, sistemet e tërheqjes motorike për automjetet elektrike dhe karikuesit e shpejtë.